TSC®

是满足半导体应用中低气泡和杂质要求的解决方案。

贺利氏利用不同的熔融技术生产熔融石英和合成石英产品。材料等级和可用尺寸都针对其最终应用进行了优化。

火炼熔融石英和合成石英*产品统一在TSC®品牌下,作为满足低气泡和夹杂物要求的解决方案,同时保持高纯度和高材料均匀性。

*用于TSC-T®合成工艺。

内容

TSC® 产品组合

在下文中,您将看到贺利氏可提供的不同TSC®材料等级的概述,每个等级都突出了该应用部分的相关特点。

材料等级 生产类型 应用 特点
TSC-3N® 气熔 半导体,尤其适用于刻蚀系统。 非常低的气泡和夹杂物含量,由于大批量的气炼熔融过程,具有成本效益的解决方案,高化学纯度
TSC®-3 气熔 半导体,尤其适用于刻蚀系统。 非常低的气泡和夹杂物含量,超高化学纯度,可提供很大尺寸的几何形状。
TSC®-4 气熔 半导体,尤其适用于刻蚀系统。 非常低的气泡和夹杂物含量,超高化学纯度,特别是低铝和低碱含量,也可提供大尺寸的几何形状
TSC®-T 合成 用于先进的半导体应用 尤其适用于刻蚀系统。 杰出的合成级化学纯度,几乎没有气泡和杂质,可提供大批量的特定几何形状。

TSC®的融熔方法

气炼工艺

气炼工艺跟电熔工艺不同,熔制过程不是通过电加热,而且通过H2/O2(氢氧焰)的燃烧,来获取加热和熔融石英玻璃所需的高温。来自贺利氏的Richard Küch是发明了用此工艺来制造石英玻璃的化学家。

这个100多年前的发明,使Richard Küch和贺利氏成为了行业的先驱之一。

贺利氏是当今少数能够用连续法生产气炼熔融石英 玻璃的公司,连续法气炼熔融石英材料综合了气炼工艺及连续法的优点。极低的气泡含量,使贺利氏气炼石英材料能够成为半导体等离子刻蚀工艺所需石英材料的优先选择。

贺利氏能够提供最大尺寸可达1.5mX1.2m或更大尺寸的气炼熔融石英锭材料

合成石英玻璃工艺

天然石英玻璃与合成石英玻璃最大的区别来自于原材料。天然石英玻璃是由天然石英砂作为原料制得的,相应的石英砂来自于石英矿/水晶矿。合成石英玻璃是用气体化学品作为原料制得的。所用的气体化学品通常会含有硅原子,硅原子与氧气反应生成高纯的二氧化硅,即为合成石英玻璃。这种工艺由于采用了高纯的化学品原料,制得的合成石英玻璃材料的纯度相比天然石英玻璃材料有量级的区别,高出很多。

在一些对于工艺环境纯度要求极高的尖端应用场合,合成石英玻璃(又称为熔融二氧化硅),是一种理想的选择。

我们的合成熔融石英同样可以提供各种形状、尺寸规格的材料以供客户选择。

TSC®的优点

  • 低夹杂物和气泡
  • 可随时提供大尺寸的产品
  • 出色的合成级纯度(合成熔融石英)

  • 内部材料提纯
  • > 100年的经验
  • 提高了总体拥有成本

应用领域

  • 用于等离子体蚀刻系统的聚焦环
  • 沉积系统中的窗口
  • 蚀刻系统的盖子

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