生产微小、复杂的集成电路需要使用多个步骤的黄光制程和化学制程，以便在硅片表面形成电子电路。为了减小集成电路表面微处理器和内存芯片的结构，有必要对材料、界面、制程和技术进行持续、全面的优化。为了实现更高的制程良率，避免粒子污染至关重要。
缩小尺寸需使用高纯度材料
过去，集成电路的宽度普遍都超过10微米，材料纯度并不像今天这样至关重要。那时，满足材料质量、无尘室生产环境等基础条件便足以生产出可靠的集成电路。
目前集成电路结构的线宽分辨率已达到7纳米。假设原子直径为2到3纳米，即便只有一个原子也会对集成电路造成污染。因此，无尘室内的生产环境必须变得更加干净。哪怕是很小的粒子也可能附着在集成电路上，从而造成缺陷。在设备和材料方面，无论是工艺反应腔还是黄光制程，整个行业都转向更高纯度的材料，对金属离子含量的要求从ppm级转向ppb级再到ppt级。
可靠的合作伙伴尤为重要
为了获得这种高纯度化学品，以及高效地利用时间和资源，找到一位可靠的合作伙伴尤为重要。由于高纯度材料的生产通常无法大批量进行，许多大型化工企业都不太愿意生产这些材料，而其他规模较小的企业也缺乏开发这类材料所需要的先进技术、专业知识和基础设施。
贺利氏拥有丰富的高纯度材料方面的专业技术——这也是我们的核心竞争力之一， 并且公司也具备清除原子级金属离子污染的能力。此外，贺利氏还拥有相关的化学品工艺与生产知识，以及多年来在应对该行业日益增长的需求过程中累积的丰富经验。因此，我们能够为客户提供各种可靠的高纯度有机化学品，如聚亚烷基二醇（PAG）、聚合物和单体，以满足他们的具体需求。
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