晶圆测试（又称 EDS - 电子芯片分选）是任何半导体结构和工艺技术生产过程中的一个基本步骤。更具体地说，在集成电路制造完成后，从晶圆分离之前，要根据特定的电气测试模式对所有单个电气触点进行功能缺陷测试。这种集成电路测试（也称为 CP - 电路探针）由自动测试装置执行，要求测试仪与晶片接触垫之间的接口具有高度可靠性。这种接口由探针卡和探针提供。
对探针卡中的探针要求很高。由于单个接触垫之间的间距极小，它们必须非常平直，并具有出色的导电性。此外，它们还必须具有足够的弹性，即使在高温下也要有良好的机械强度，以便在多次负载循环和触地操作中使用。探针卡效率的最重要指标是降低每次测试的成本，缩短每次测试的时间，增加并行测试的次数，同时最大限度地减少污染（低接触电阻 CRes）。
贺利氏提供从沉淀硬化钯银铜合金到高强度铂镍合金等多种探针材料。贺利氏生产的探针材料可应用于任何类型的探针卡：从悬臂式到垂直式，再到 微机电系统 (MEMS)及各种要求高质量标准的先进探针卡
50多年来，贺利氏一直引领着半导体行业定制高性能材料的生产。除了多年的经验，贺利氏还是您的合作伙伴，为您的应用确定和加工最佳材料。此外，客户还可从载流能力(CCC)/最大允許電流 (MAC)测试和表面分析中获益。
从标准材料到先进合金的新型冶金解决方案，开发的重点都是良好的弹簧性能、高导电性和高耐用性，以及可根据个性化要求调整的机械性能。
| Hera 648 | Hera 6321 |
Palysium Hera 6307 |
Hera 1206 | Hera 5270 | Hera 4000 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 主要成份 [wt%] | Pd35 Ag30 Au10 Pt10 | Pd39 Ag29 | Pd52 Ag11 | Pt Ni31.5 | Rh dot | Ir |
| 密度 [g/cm-3] | 11.8 | 10.4 | 10.5 | 15.1 | 12.4 | 22.56 |
| 楊氏模數 [GPa] | 108 | 112 | 120 | 234 | 330 | 528 |
| 屈服強度 [MPa] | 1050 - 1400 | 1250 - 1550 | 1250 - 1550 | 1900 | 2800 | 2300 |
| 極限拉伸強度 [MPa] | 1100 - 1450 | 1300 - 1600 | 1300 - 1600 | 1600 - 2000 | 2100 - 2900 | 2400 |
| 非比例延伸強度 [Ratio] | 0.010 - 0.013 | 0.011 - 0.014 | 0.011 - 0.013 | 0.008 | 0.008 | 0.004 |
| 硬度 [HV] | 330 - 400 | 400 - 450 | 400 - 500 | 400 - 490 | 450 - 700 | 700 |
| 導熱系數 [W/mK] | 28 | 66 | 150 | 150 | 59 | |
| 電阻率 [μ0hm/cm] | 35.9 - 33.2 | 21.3 - 12.3 | < 6.4 | 41.1 - 33.2 | < 5.4 | 7.2 - 6.6 |
| 國際退火銅標準 [%] | 4.8 – 5.2 | 8.1 – 14.0 | > 27 | 4.2 – 5.2 | > 32 | 24 - 28 |
| 载流能力 [mA] | 380 | 590 | 650 | |||
| 最大允許電流 [mA] | 290 | 506 | 540 | |||
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Palysium 是贺利氏专为半导体测试应用开发的合金。由于其独特的超晶格结构，Palysium 具有极高的导电率（比 PdAgCu 市场标准 Hera 6321 高 2.5 倍），同时还具有优异的弹簧特性和加工能力，可加工直径达 15 μm 的金属丝。这样就能生产出非常精确和更小的针截面，从而可以对更小的间距进行可靠的测试，因为在相同的截面积下可以传输更多的电流。同时，在相同的电流下，针可以大大缩小，这对间距、针数和测试平行度都有积极影响。
